研究背景與挑戰

PSC商業化的關鍵瓶頸在于缺陷鈍化制程的再現性不足。本研究針對此領域面臨的三大核心挑戰：

1.表面狀態變異性：鈣鈦礦薄膜表面狀態在不同批次、操作者間存在顯著差異，即使微小的制程波動（溫度、化學計量比、濕度）都會導致截然不同的缺陷分布，使鈍化效果難以重現。

2.最佳鈍化劑濃度控制困難：傳統策略需在缺陷修復與電荷傳輸間找到平衡點（最佳濃度C*），但表面狀態變異導致既定最佳條件無法跨實驗重現，甚至產生負面效果。

3.常規鈍化模式的固有限制：CP模式下鈍化劑濃度變化顯著影響其分布與能級對齊，影響再現性。過量鈍化劑易形成殘余粉末和低維相，導致界面電阻過高、器件性能下降，并存在初始穩定性問題。

研究團隊與解決方法

這項關于鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）缺陷鈍化策略的研究，由西湖大學王睿和浙江大學薛晶晶教授共同領導的團隊所完成。他們的研究成果發表在國際頂尖期刊《自然能源》（Nature Energy）上。

研究團隊提出「飽和鈍化」（Saturated Passivation, SP）新策略，采用創新兩步法解決上述挑戰：

第一步：活性調控

使用氟化異丙醇（FIPA）降低鈍化劑分子的反應活性和滲透能力，允許使用高濃度鈍化劑確保所有表面缺陷充分鈍化，同時避免過度反應和有害低維相的過度形成。

第二步：精確清洗

采用FIPA與異丙醇（IPA）混合溶劑進行漂洗，精確去除多余的非結合鈍化劑分子，實現缺陷飽和鈍化并保持低維層在適當厚度。

重點研究成果

Fig. 3i

1. FIPA溶劑的機理：FIPA中氟原子與銨鹽鈍化劑形成強氫鍵（H–F氫鍵），競爭性抑制鈍化劑與PbI2的過度反應，有效降低鈍化劑反應活性和滲透能力，避免有害低維相過度形成。

2.顯著拓寬操作窗口：SP策略對鈍化劑濃度偏差具有高容忍度，相較傳統CP模式提供更寬廣的適當濃度范圍，大幅提升制程再現性。

3.器件性能

• 效率突破：n–i–p低帶隙PSC達25.6%、p–i–n低帶隙PSC達26.0%、p–i–n寬帶隙PSC達23.0%、1 cm2大面積PSC達24.5%

• 穩定性改善：1000小時加速老化后仍保持超過80%初始PCE，初始穩定性顯著優于CP器件

• 遲滯現象減少：缺陷鈍化有效抑制離子遷移

4.廣泛普適性驗證SP策略適用于：

• 不同器件結構（n–i–p、p–i–n）

• 多種鈣鈦礦組成（不同Br含量）

• 多樣制備技術（兩步法、反溶劑沉積法）

• 不同制備環境（氮氣、空氣）

• 多種器件面積（對大面積器件效果更顯著）

• 可透過浸泡法實現，具工業化潛力

實驗步驟與過程

Fig. 4j

1.鈣鈦礦薄膜制備采用兩種主要沉積方法驗證SP策略普適性：

• 兩步法：分層旋涂PbI2溶液和FAI/MACl溶液后退火，適用于n-i-p和p-i-n結構的低帶隙及寬帶隙鈣鈦礦

• 反溶劑沉積法：旋涂前驅體溶液過程中滴加反溶劑（茴香醚或乙酸乙酯）后退火

制備環境涵蓋氮氣手套箱（高純度）和空氣環境（25-30%濕度，模擬實際生產條件）。

2.器件組裝

• 基板結構：ITO或FTO玻璃基板上沉積電子/電洞傳輸層（SnO2、2PACz、NiOx/Me-4PACZ等）

• SP鈍化處理：高濃度銨鹽鈍化劑（PEAI等）溶于FIPA中旋涂至鈣鈦礦表面，隨后用FIPA/IPA混合溶劑漂洗去除多余分子。p-i-n結構器件需短暫低溫退火

• 替代方法：驗證浸泡法替代旋涂法的可行性

• 電極完成：沉積電洞傳輸材料（Spiro-OMeTAD）或電子提取層（LiF/C60/BCP），最后蒸鍍金屬電極

3.性能測試標準條件下測量J-V特性曲線，獲得PCE、VOC、JSC、FF等關鍵參數。所有測量均未經預處理，并特別針對1 cm2大面積器件進行工業化潛力評估。

表征方法與結果

準費米能階分裂 (Quasi-Fermi Level Splitting, QFLS)

評估鈣鈦礦薄膜缺陷鈍化效果與非輻射復合損失抑制能力，QFLS提升直接關聯器件VOC和FF改善。

經100 mM PEAI/FIPA處理的鈣鈦礦薄膜QFLSfilm改善幅度達17.5 mV，明顯優于PEAI/IPA處理的12.8 mV。清洗步驟會因PEAI粉末溶解或2D相降解而降低改善幅度，但IPA清洗后的QFLSfilm改善幅度略高于FIPA清洗。SP處理后薄膜QFLSfilm持續改善，PL光譜中未觀察到明顯2D相發射峰，證實鈍化效果穩定。

圖S 12展示100 mM PEAI/FIPA和PEAI/IPA處理薄膜在未清洗、FIPA清洗、IPA清洗三種條件下的QFLSfilm改善對比。PEAI/FIPA未清洗樣品顯示最高改善值(17.5 mV)，直觀呈現不同溶劑處理與清洗步驟對缺陷鈍化效果的影響。

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電流密度-電壓(J-V)曲線

表征太陽能電池核心性能參數，反映器件電荷傳輸與整體光伏性能。

SP策略顯著提升各種PSCs的PCE表現。Cs0.05FA0.95PbI3 p-i-n結構器件經PEAI-SP處理后，PCE達到25.5%（VOC = 1.17 V，FF = 83.00%，JSC = 26.30 mA cm^-2）。該策略對不同組分鈣鈦礦（20% FAPbBr₃或40% MAPbBr₃摻雜）、不同制備方法及不同環境均展現優異通用性。SP鈍化有效降低遲滯現象，歸因于缺陷鈍化抑制離子遷移。

圖4a展示參考器件與PEAI-SP處理的Cs0.05FA0.95PbI3 p-i-n結構器件J-V曲線對比及PCE統計直方圖。SP處理器件曲線更加「方正」，顯示更高填充因子和功率轉換效率，PCE分布更集中且平均值更高，突顯SP策略在提升器件性能和可重復性方面的顯著效果。

外部量子效率 (External Quantum Efficiency, EQE)

不同波長光照下將入射光子轉換為輸出電流的效率，直接反映器件光譜響應能力與太陽光利用有效性。測量采用EnliTech QE-R量子效率量測系統。

EQE光譜數據支持J-V曲線測得的JSC值，進一步驗證器件在各光譜區域的性能表現，確認SP策略處理后器件的光電轉換能力。

圖S 22a展示Cs0.05FA0.95PbI3 p-i-n結構器件EQE光譜。器件在可見光和近紅外區域（約300-850 nm）展現高量子效率，峰值接近90%，證實器件在該波長范圍具有高效光吸收和電荷收集能力。

最大功率點追蹤 (MPP tracking)

在恒定光照和偏置電壓下監測器件電流輸出隨時間變化，評估長期運行穩定性，特別是加速老化條件下的性能表現。

模擬加速老化測試條件下（65°C、N₂手套箱中0.8倍太陽光照），SP策略展現穩定性。SP器件在1000小時測試后仍保留超過80%初始PCE，而傳統鈍化(CP)器件在最初260小時內PCE急劇下降，甚至低于對照組，歸因于鈍化劑過度滲透。SP器件初始穩定性明顯優于CP器件，源于鈍化劑滲透減少。

圖S 34比較未封裝對照組、CP和SP器件在加速老化測試中歸一化PCE隨時間變化。SP器件PCE衰減速度最慢，展現最佳長期穩定性，而CP器件在測試初期即顯現明顯性能下降。

其他表征

1.            角分辨X射線光電子能譜(AR-XPS)：分析鈍化劑分子在鈣鈦礦薄膜中的深度分布和穿透能力。證實FIPA-SP模式能高效移除深層PEAI，表面殘留最少，增強鈍化可重復性。(圖1d)

2.            X射線繞射(XRD)：分析鈣鈦礦薄膜經鈍化劑處理后的晶體結構變化和2D相形成。證實FIPA顯著抑制PEAI粉末峰和2D相形成，有效抑制相變發生。(圖1e)

3.            光致發光光譜(PL)：評估非輻射復合損失抑制情況，PL強度反映缺陷鈍化效果。顯示FIPA具有鈍化劑分子去除能力，IPA體積比增加時PL強度逐漸增強。(圖3g)

4.            掃描電子顯微鏡(SEM)：直接觀察鈣鈦礦薄膜表面形態變化，特別是PbI₂富集區域轉化情況。證實FIPA抑制PEAI反應性，處理后PbI₂富集區域(亮區)仍部分存在。(圖1g)

5.            核磁共振波譜(NMR)和傅立葉變換紅外光譜(FTIR)：研究溶劑、PbI₂和鈍化劑配體間分子相互作用機制。證實FIPA中氟原子與銨鈍化劑形成強氫鍵，競爭性阻礙低維相形成。(圖2f)

6.            光伏參數統計分析：評估SP策略的通用性、可重復性和適用性。證實SP策略在各種器件中表現優異，1 cm2大面積PSCs的PCE從21.6%提升至24.5%。(圖S 24a)

結論

研究團隊成功開發飽和鈍化（SP）策略，有效解決PSCs傳統鈍化方法因表面狀態變異導致的效果不一致問題，顯著提升器件效率、穩定性和重現性。

核心創新突破：

1. FIPA溶劑的關鍵作用：氟化異丙醇（FIPA）顯著降低鈍化劑分子與鈣鈦礦反應活性，相比傳統異丙醇（IPA）確保缺陷鈍化且不干擾電荷傳輸。FIPA拓寬操作窗口，使策略對鈍化劑濃度變化、沉積方法和兼容鈍化劑具有高耐受性，展現優異通用性。

2.器件性能：實現多項效率突破：n–i–p低帶隙PSC達25.6%、p–i–n低帶隙PSC達26.0%、p–i–n寬帶隙PSC達23.0%、1 cm2大面積PSC達24.5%。SP策略提供更寬鈍化劑濃度操作范圍（20-100 mM PEAI濃度下效率穩定保持25%），有效抑制遲滯效應，顯著改善大面積器件性能。

3.優異穩定性表現：加速壽命測試中（65°C、0.8太陽光照、N₂環境），SP器件1000小時后仍保持超過80%初始PCE，而傳統鈍化（CP）器件在前260小時內顯著衰退，甚至劣于未處理對照組，歸因于SP策略有效減少鈍化劑過度滲透。

4. QFLS顯著改善：SP處理薄膜顯示持續QFLS改善，100 mM PEAI/FIPA處理的薄膜QFLSfilm改善幅度達17.5 mV，明顯優于PEAI/IPA的12.8 mV，在降低開路電壓損失方面展現可重現的效果。

文獻參考自Nature Energy_DOI: 10.1038/s41560-025-01791-z

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